# 电荷和库仑定律

电子 e:1.602×1019C1.602 \times 10^{-19}C

库仑定律:

库仑定律对运动的电荷不成立,因为会产生磁场;但是高斯定理对运动的电荷成立

F=kq1q2r2erF=k\frac{q_1 q_2}{r^2}\vec{e_r},其中k=14πε0=9×109,ε0=8.8542=1012C2/(Nm2)k=\frac{1}{4\pi \varepsilon_0}=9\times 10^9, \varepsilon_0=8.8542=10^{-12}C^2/(N\cdot m^{-2})

# 静电场与电场强度

# 概念

电场强度:E=Fq0E=\frac{F}{q_0},单位:N/CV/mN/C或V/m

点电荷:E=\frac{q}{4\pi \varepsilon_0r^2}\vec

线电荷密度:λ\lambda 面电荷密度:σ\sigma 体电荷密度:ρ\rho

\color{red}

# 各特殊模型产生的场强

  1. 电偶极子

    电偶极子:两相隔一定距离的等量异号点电荷

    l\vec{l}:负电荷到正电荷的矢量线段

    电偶极矩:\vec{p}=q\vec

    E=ql4πε0(r2+l2/4)32E=-\frac{ql}{4\pi \varepsilon_0 (r^2 + l^2/4)^{\frac{3}{2}}},若rlr\gg lE=ql4πε0r3\color{forestgreen}{E=-\frac{ql}{4\pi \varepsilon_0r^3}}

  2. 均匀带电直线

    利用dq=λdydq=\lambda dy 进行积分

    无限长:\color{forestgreen}E=\frac{\lambda}

  3. 均匀带电平面

    无限大:\color{forestgreen}E=\frac{\sigma}

  4. 均匀带电圆环

    利用dq=λdydq=\lambda dy 进行积分

    沿轴线:E=xQ4πε0(x2+R2)32E=\frac{xQ}{4\pi\varepsilon_0(x^2+R^2)^{\frac{3}{2}}} ,若xRx\gg R:\color{forestgreen}E=\frac{Q}

  5. 均匀带电圆盘

    圆盘是由圆环组成,对 dr 进行积分

    沿轴线:E=σ2ε0(1xR2+x2)\color{forestgreen}E=\frac{\sigma}{2\varepsilon_0}(1-\frac{x}{\sqrt{R^2+x^2}})

    • xRx\ll R,圆盘可视为无限大的平面,E=\frac{\sigma}
    • xRx\gg R,圆盘可视为点电荷,E=q4πε0x2E=\frac{q}{4\pi \varepsilon_0 x^2}(q 为圆盘的总带电量q=σπR2q=\sigma \pi R^2
  6. 均匀带电球面

    dq=σ2πrdl,r=Rsinθdq=\sigma 2\pi r'dl, r'=R\sin\theta,对圆盘上的圆环进行积分

    x>Rx>R 时,\color{forestgreen}E=\frac{Q}

    x<Rx<R 时,E=0E=0

# 高斯定理

Φe=SEdS=1ε0Sqi\Phi_e=\oint_S\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{1}{\varepsilon_0}\sum\limits_{S_{\text{内}}}q_i

---- 揭示了静电场是有源场

注意:

  1. ΦE只取决于S面包围的电荷,S面外的电荷对ΦE无贡献\Phi_E只取决于S面包围的电荷,S面外的电荷对\Phi_E无贡献
  2. E\vec{E} 是所取封闭面 S(高斯面)上的场强,它是由全部电荷S内外\color{red}{S内外}​共同产生的合场强

# 高斯面的选取

高斯面(封闭面)应该选在场强相等的封闭曲面上,如果场强相等的曲面不封闭,则应该添加与场强方向垂直的面共同形成封闭曲面

  1. 球对称:选与带电体同心的球面
  2. 轴对称:选与带电体同轴的圆柱面
  3. 面对称:选轴与带电面垂直,两底与带电面等距平行的圆柱面

对于一个球体中挖去一个小球体,求空腔内一点的电场强度:先将球体补齐,算大球体和补进去的小球体产生的场强,一减即可

\color{red}

# 环路定理

----- 揭示了静电场的无旋性

LEdl=0\oint_L\vec{E}\cdot d\vec{l}=0

静电场做功:Aq0=q4πε(1ra1rb)(ra,rb表示场源电荷到被移动电荷的起点和终点距离)\frac{A}{q_0}=\frac{q}{4\pi\varepsilon(\frac{1}{r_a}-\frac{1}{r_b})}(r_a,r_b表示场源电荷到被移动电荷的起点和终点距离)

# 电势差和电势

# 概念

点电荷q0q_0 从 P 到 Q,电场力做功为:A_{PQ}=q_0\int_{P}^Q\vec{E}\cdot d\vec

WP,WQW_P,W_Q 分别是q0q_0 在 P 点和 Q 点的静电势能,W_P-W_Q=q_0\int_P^Q\vec{E}\cdot d\vec

P、Q 两点的电势差为V_P-V_Q=\int_{P}^Q \vec{E}\cdot d \vec

# 电势零点的选取

  1. 场源电荷分布在有限空间,选取无穷远处为电势零点
  2. 电荷分布在无限空间,选有限远点为电势零点

# 电势的计算

  1. 定义法求电势

    V_P=\int_{P}^{V=0处}\vec{E}\cdot d\vec

  2. 电势叠加法求电势

    点电荷系场中的电势:V_P=\sum\limits_{i}\frac{q_i}

    任意带电体场中的电势:V_P=\int_q\frac{dq}

# 电势梯度

电视梯度是电势的最大空间变化率

E=gradV=(xi+yj+zk)V\vec{E}=-grad\,V=-(\frac{\partial}{\partial x}\vec{i}+\frac{\partial}{\partial y}\vec{j} +\frac{\partial}{\partial z}\vec{k})V

# 静电场中的导体

静电感应\rightarrow 静电平衡\rightarrow 等势体

# 静电平衡的条件

静电平衡:导体表面和内部都没有电荷的定向移动

  1. 导体内部 E=0\vec{E}=0
  2. 外表面 E表面\vec{E}\bot表面

推论:导体是等势体,导体表面是等势面

静电平衡时导体上的电荷分布:

  1. 导体内部没有静电荷,电荷分布在外表面上

  2. 导体内有空腔,腔内无其他带电体,电荷全分布在导体外表面

  3. 导体表面附近E\vec{E} 的大小与该处的面电荷密度σ\sigma 成正比:\vec{E} = \frac{\sigma}

E是导体表面电荷和外部电荷的合场强\color{red}{\vec{E}}是导体表面电荷和外部电荷的合场强

  1. 孤立导体表面各处的面电荷密度σ\sigma 与各处曲率半径 R 成反比,即\sigma \propto \frac{1}

求解静电平衡时的电荷分布:

  1. 取两板之间的高斯柱面,得两板电荷之和为 0
  2. 导体内任一点电场为 0

# 静电屏蔽

  1. 腔内无带电体

    • 内表面无电荷
    • 腔内E=0\vec{E} = 0
  2. 腔内有带电体

    • 内表面电荷和腔内电荷等值异号
    • 外表面电荷与腔内电荷等值同号

    \color{red}

# 静电场中的电介质

电介质是绝缘体,不导电,在外电场E0\vec{E}\neq 0

# 电介质分子的分类

  1. 无极分子:在无外场作用下,整个分子无电矩
  2. 有极分子:在无外场作用下,整个分子存在固有电矩

# 电极化现象

宏观:电介质表面出现电荷

端面上束缚电荷越多,电极化程度越强

  1. 有极分子

    取向极化:\vec{E}=0,\sum\vec{p}=0;\vec{E}\neq 0,\vec{M}=\vec{p}\times\vec

    E\vec{E}\uparrowp\vec{p} 排列越整齐

  2. 无极分子

    位移极化:

# 电极化强度矢量\vec

  1. P=piΔV\vec{P} = \frac{\sum p_i}{\Delta V},单位体积内所有分子的电偶极矩之矢量和,单位C/m2C/m^2

  2. 无极分子介质极化的过程中,穿过 ds 的束缚电荷为dq=pendsdq=\vec{p}\cdot \vec{e_n}dsdqds=pen\frac{dq}{ds}=\vec{p}\cdot \vec{e_n}\Rightarrow 由于电介质极化,在其表面上单位面积所出现的一层束缚电荷,即束缚电荷的面密度σ\sigma 和该处电极化强度 P 在表面法线上的分量值相同\sigma =\vec{p}\cdot \vec

  3. P\vec{P}E\vec{E} 成正比,对于各向同性的电介质:\vec{P} = \varepsilon_0(\varepsilon_r-1)\vec

    χe=εr1\chi_e=\varepsilon_r-1χe\chi_e–电极化率,εr\varepsilon_r–相对介电常数

    即:P=χeεrE\vec{P}=\chi_e \varepsilon_r\vec{E},\overrightarrow{E} = \overrightarrow{E_{\text{外}}}+\overrightarrow

  4. 电击穿–电介质的击穿

    E\vec{E} 足够强的时候,分子中正负电荷被拉开\rightarrow 自由电荷

    绝缘体\rightarrow 导体 \Longrightarrow 电介质的击穿

    电介质所能承受的不被击穿的最大的电场强度\rightarrow 击穿场强

# 有电介质存在时的静电场的计算​

在有介质存在空间的电场由自由电荷和介质上的束缚电荷共同产生

放入介质两极板间的电位差为\rightarrowV

未放入介质两极板间的电位差为V0\rightarrow V_0

\Longrightarrow V=V0εr\color{red}{V=\frac{V_0}{\varepsilon_r}}

# 介质中的高斯定理

通过高斯面的电位移通量等于高斯面所包围的自由电荷\color{red}{自由电荷} 的代数和,与极化电荷和高斯面外的电荷无关

电介质内的合场强为E=E+E0\vec{E}=\vec{E'}+\vec{E_0}

电位移矢量:\vec

D\vec{D} 线:电场线始于正电荷,止于负电荷;D\vec{D} 线始于正自由电荷,止于正自由电荷

D\vec{D} 的通量:(均匀)ΦD=DΔS\Phi_D=\vec{D}\cdot \Delta \vec{S},(非均匀)\Phi_D = \iint_S\vec{D}\cdot d\vec

注:\color{red}{注:} 1. D\vec{D} 由空间所有电荷(自由、束缚、S 面内、S 面外)共同决定

​ 2. SDdS\iint_S\vec{D}\cdot d\vec{S} 由面内自由电荷决定

​ 3.D=εE\vec{D} = \varepsilon\vec{E}D\vec{D}E\vec{E} 处处对应方向一致

​ 4.DdS=q\oint\vec{D}d\vec{S}=\sum q_{\text{自}} 与 \oint \vec{E}d\vec{S}=\frac{\sum q_{\text{自}}+\sum q_{\text{束}}}

# 环路定理

Edl=0\oint\vec{E}d\vec{l} = 0,束缚电荷产生的场强与自由电荷产生的场强相同

# 归纳

  1. \vec{P}=\chi_E\varepsilon_0\vec

  2. \vec{D}=\varepsilon_0\varepsilon_r \vec

  3. \vec{D} = \varepsilon_0 \vec{E}+\vec

  4. 空间某点处的E\vec{E} 仅与该点的电介质有关,而该处的V\vec{V} 与积分路径上所有电介质有关

# 电容

# 孤立导体的电容

若一孤立导体带电+q+q, 该导体具有一定的电势VV,电容C=\frac{q}

电容的物理意义:孤立导体每升高一个单位的电势所需要的电量

# 电容器及其电容

C_{AB} = \frac{q}

增大电容:多个电容并联C=C1+C2+...+CkC = C_1+C_2+ ...+C_k

增强耐压:多个电容串联1C=1C1+1C2+...+1Ck\frac{1}{C}=\frac{1}{C_1}+\frac{1}{C_2}+...+\frac{1}{C_k}

平行板电容器 C:C=\frac{\varepsilon S}

平行板电容器中有介质时的 C:C=ε0Sbεr1εrtC = \frac{\varepsilon_0 S}{b-\frac{\varepsilon_r-1}{\varepsilon_r}t}

圆柱形电容器C=2πεLln(RB/RA)C=\frac{2\pi \varepsilon L}{ln(R_B/R_A)}

设内外极板所带电荷线密度为+λ+\lambdaλ-\lambda,取同轴的高斯柱面\vec{E} = \frac{\lambda}{2\pi\varepsilon r}\vec

球形电容器C=4πεRARBRBRAC=\frac{4\pi \varepsilon R_AR_B}{R_B-R_A}

设内外球壳分别带+q,q+q,-q

# 求解电容的方法

  1. 假设极板的上下面电荷密度,利用电势差的关系\rightarrow 场强\rightarrow 面电荷密度
  2. 假设极板的上下面电荷密度,利用D=σD=\sigma \rightarrow E \rightarrow ΔV\Delta V \rightarrow​ C
  3. 根据串并联的规则

# 静电场的能量

# 电容器的能量

W=12Q2C=12CV2=12QVW=\frac{1}{2}\frac{Q^2}{C}=\frac{1}{2} CV^2=\frac{1}{2}QV

# 电场的能量

电场能量密度:w_e=\frac{1}{2}\varepsilon E^2=\frac{1}{2}\vec{D}\cdot\vec

电场能量:W=12εE2dV=12DEdVW=\frac{1}{2}\int\varepsilon E^2dV=\frac{1}{2}\int \vec{D}\cdot\vec{E}dV

# 电荷在外电场中的电势能

1eV=1.6×1019J1eV=1.6\times 10^{-19}J

电势能W=qVW=qV

静电互能:一个点电荷在外电场中的电势能,属于该电荷和场源电荷所共有

# 带电体系的静电能

静电能:系统中所有电荷之间相互作用能的总和成为该电荷系统的静电能

  • 将系统中各电荷从现有位置到彼此分散到无限远的过程中,他们之间的静电力所做的功
  • 将各电荷从彼此分散在无限远处移动到现有位置过程,外力做的功

W总静电能=W+WW_{\text{总静电能}}=W_{\text{互}}+W_{\text{自}}

自能:单一带电体自身电荷元相互作用的静电能

互能:不同带电体上电荷的相互作用的静电能

# 点电荷的互能

两个点电荷组成的系统:因为A12=A21A_{12}=A_{21} , 所以W=12(q1V1+q2V2)W=\frac{1}{2}(q_1V_1+q_2V_2)

n 个点电荷组成的系统:第 i 个电荷的电荷量为qiq_i,其他电荷在qiq_i 处产生的电势为ViV_i,则点电荷系的静电能为W=12i1nqiViW=\frac{1}{2}\sum\limits_{i-1}^{n}q_iV_i

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